光刻掩模校正

光刻技术是制造集成电路的基本技术，在光刻过程中，小到纳米级的结构都要从光掩模转移到晶片上。任何错位都会导致晶片上的图案出现错误，从而导致设备出现缺陷。各种校正技术有助于将光刻过程中的故障降至最低。
我们提供的定位解决方案与 SmarAct Metrology 的干涉测量相结合，可在多达六个自由度内以 nm 的精度校正器件的位置。行程范围为 200µm 的 SMARFLEX 压电扫描仪和 SMARSLIDE 压电惯性驱动平台可提供所需的精度。因此，在光刻工艺的任何时候，都能实现掩膜和晶片的完美对准，以确保器件的最高质量。